Научная книга Поиск по сайту
Главная
Поиск по сайту

Раздел: БИБЛИОТЕКА ТЕХНИЧЕСКОЙ ЛИТЕРАТУРЫ
Короткий путь http://bibt.ru

Адрес этой страницы' ?>

<<Предыдущая страница Оглавление книги Следующая страница>>

ПОКРЫТИЯ ИНДИЕМ И ЕГО СПЛАВАМИ

Кривые катодной поляризации индия при различной концентрации битартрата натрия

Гальванические покрытия индием и его сплавами

В силу высоких антикоррозионных, антифрикационных и других свойств покрытия индием и его сплавами широко применяют в технике. В большинстве случаев их получают из тартратных и трилонатных электролитов. Наиболее оптимальным является следующий состав (в г/л):

In2(SO4)3 (в виде металла) 15—20

Битартрат натрия 200 — 250

(NH4)2SO4 30-40

NaCl 60-80

NH4OH, мл/л 200-250

Температура комнатная. рН = 9,0 ÷10,5, iк = 0,5 ÷ 2,0 А/дм2, анод — из индия или платинированного титана. Катодный выход по току составляет 85-95%, анодный - 100%. Скорость осаждения индия равна 10—20 мкм/ч. С увеличением концентрации битартрата натрия (рис. 9) значение предельного тока увеличивается, а потенциал восстановления индия на катоде становится более отрицательным, что связано с наличием комплексов, имеющих различные константы нестойкости. Для ионизации индия требуется значительное количество депассиватора (NaCl). Хлористый натрий увеличивает электропроводность электролита и смещает потенциал анода в сторону больших отрицательных значений.

Кривые катодной поляризации индия при различной концентрации битартрата натрия

Рис. 9. Кривые катодной поляризации индия при различной концентрации битартрата натрия

Из трилонатных электролитов наибольшее применение нашел электролит, содержащий (в г/л):

Металлический индий 15—20

Трилон Б 80-100

Сульфат аммония 80—100

Температура комнатная, iк = 0,5÷1,5 А/дм2, аноды — из индия. Покрытия получаются светлыми, прочность сцепления с основой из меди и коррозионно-стойкой стали хорошая. Сульфат — ион играет роль стабилизатора и буфера, а также обеспечивает необходимую электропроводность и кроющую способность электролита. Адсорбируясь на катоде, он облегчает ориентацию и разряд отрицательно заряженного иона — трилонатного комплекса индия.

Индиевые покрытия осаждают из цианистого электролита (в г/л):

In(ОН)3 (в виде металла) 15-30

KCN 140-160

КОН 30-40

Глюкоза 20-30

Температура 15 —35 °С, рН=11, iк = = 10 ÷ 15 А/дм2, аноды из стали 12Х18Н9Т или платины. Катодный выход по току составляет 50 — 60%.

Анодный индий поставляется по ГОСТ 10297-75 марок 00; 0; 1 и 2, а сернокислый индий — по ВТУ МГ УХП 457-60.

Индий обладает рядом положительных свойств, однако имеет низкую температуру плавления (150 °С), поэтому на смену чистых индиевых покрытий приходят покрытия сплавами, содержащими индий, которые лишены указанного недостатка.

Сплав индия с никелем, содержащий 18 — 35% никеля, получают из электролита (в г/л):

In (SO4)3 (в виде металла) 4 — 5

NiSO4 (в виде металла) 40 — 50

NaC4H4O6•2H2O 60-70

Na2SO4•10H2O 40-50

(NH4)2SO4 20-30

NH4OH (25%-ный), мл/л 200-250

Температура электролита 18—25 °С, рН = 9÷10,5, iк = 0,5÷2 А/дм2, аноды — из индия.

Для осаждения сплава индий — цинк используют электролит (в г/л):

Сульфаминовая кислота 50 — 60

Индий (в виде металла) 10 — 15 ZnSO4 10-15

Температура 40 —50°С, iк = 1 ÷2 А/дм2, аноды — из индия. Осадки содержат 50-75% пинка.

Сплав индий — таллий, содержащий 10— 20% таллия, осаждают из электролита (в г/л):

Сульфаминовая кислота 40 — 50 Индий (в виде металла) 15 — 20 Таллий сернокислый закисный 1 — 1,5

Температура 50 —70°С, iк = 3÷5 А/дм2, аноды — из индия. Покрытия обладают устойчивой сверхпроводимостью при низких температурах.

Антифрикционный сплав индий — свинец, содержащий 50% индия, получают из электролита (в г/л):

Битартрат натрия 250 — 300

Индий хлористый 13 — 15

Свинец хлористый 10 — 30

Натрий хлористый 80 — 100

Пептон 7 — 10

Температура электролита 60 —70 °С, рН = 10,1 ÷ 10,3, iк = 0,5 ÷ 1 А/дм2, аноды — из индия. Увеличение содержания в сплаве индия достигается за счет повышения концентрации свинца в растворе, увеличения iк и снижения температуры раствора.

. Справочник по гальванопокрытиям в машиностроении, 1979.
Перейти вверх к навигации
Перепечатка материалов запрещена.
Помогите другим людям найти библиотеку разместите ссылку: